Solución de grabado BOE

BOE (grabado con óxido tamponado) es un tipo de solución de grabado comúnmente utilizada en procesos de microfabricación y fabricación de semiconductores. Está diseñado específicamente para grabar y eliminar dióxido de silicio (SiO2) u capas de óxido de obleas de silicio u otros sustratos semiconductores. La solución normalmente consiste en una mezcla de ácido fluorhídrico (HF) y fluoruro de amonio (NH4F) en una proporción específica. La combinación de estos productos químicos proporciona un medio eficaz para grabar selectivamente el dióxido de silicio y al mismo tiempo minimizar los ataques a otros materiales.

El uso de BOE en la fabricación de semiconductores es fundamental para diversas aplicaciones, incluida la producción de circuitos integrados (CI) y otros dispositivos microelectrónicos. Permite la eliminación precisa de capas de óxido sin dañar el sustrato de silicio subyacente. La selectividad de BOE es crucial para lograr patrones de alta resolución y estructuras bien definidas en la oblea semiconductora.

Libere la precisión de sus enfoques de producción de semiconductores con la solución de grabado BOE de UniVOOK Chemical. Diseñada a la perfección, esta solución de grabado con óxido tamponado (BOE) es una herramienta fundamental para lograr la eliminación selectiva y controlada de las capas de dióxido de silicio en la microfabricación.

Características: Solución de grabado BOE

Eliminación selectiva de óxido :

La solución de grabado BOE de UniVOOK Chemical es experta en grabar selectivamente dióxido de silicio incluso manteniendo la integridad del sustrato de silicio subyacente. Esta selectividad garantiza la creación de patrones complejos y bien descritos, necesarios para los dispositivos semiconductores.

Estabilidad amortiguada: 

La inclusión de un potente dispositivo tampón garantiza un nivel de pH importante durante todo el proceso de grabado. Este equilibrio amortiguado contribuye a tasas de grabado constantes y controladas, lo que permite resultados confiables en la producción de semiconductores.

Componentes de alta pureza: 

Formulada con ácido fluorhídrico (HF) de alta pureza y fluoruro de amonio (NH4F), esta solución BOE satisface las estrictas necesidades de la fabricación de semiconductores. El uso de componentes de alta pureza minimiza las impurezas, mejorando la confiabilidad y reproducibilidad del método de grabado.

Protocolos de seguridad mejorados:

UniVOOK Chemical prioriza la protección en el tratamiento de su solución de grabado BOE. El sistema tiene en cuenta la naturaleza peligrosa del ácido fluorhídrico y se implementan medidas de seguridad adecuadas para garantizar el bienestar de los clientes.

Optimizado para aplicaciones de semiconductores:

Diseñada para satisfacer las necesidades traumáticas de la producción de semiconductores, la solución de grabado BOE de UniVOOK Chemical respalda la llegada de sistemas microelectrónicos sofisticados, garantizando patrones de alta resolución y una eliminación precisa del óxido.

Producto relacionado: Solución de grabado Mo/Al/Mo